Ang proseso sa pagputli sa 7N tellurium naghiusa sa mga teknolohiya sa pagpino sa sona ug direksyon nga kristalisasyon. Ang mga nag-unang detalye sa proseso ug mga parametro gilatid sa ubos:
1. Proseso sa Pagpino sa Sona
Disenyo sa Kagamitan
Mga multi-layer annular zone melting boat: Diametro 300–500 mm, gitas-on 50–80 mm, hinimo sa taas nga kaputli nga quartz o graphite.
Sistema sa pagpainit: Mga semi-circular resistive coil nga adunay katukma sa pagkontrol sa temperatura nga ±0.5°C ug labing taas nga temperatura sa pag-operate nga 850°C.
Mga Pangunang Parametro
Vacuum: ≤1×10⁻³ Pa sa tibuok nga bahin aron malikayan ang oksihenasyon ug kontaminasyon.
Katulin sa pagbiyahe sa sona: 2–5 mm/h (unidirectional nga pagtuyok pinaagi sa drive shaft).
Gradient sa temperatura: 725±5°C sa atubangan sa natunaw nga sona, mobugnaw ngadto sa <500°C sa daplin sa likod.
Mga Paglabay: 10–15 ka siklo; kahusayan sa pagtangtang >99.9% para sa mga hugaw nga adunay mga koepisyente sa pagbulag <0.1 (pananglitan, Cu, Pb).
2. Proseso sa Direksyon sa Kristalisasyon
Pagpangandam sa Pagkatunaw
Materyal: 5N tellurium nga giputli pinaagi sa zone refining.
Mga kondisyon sa pagkatunaw: Natunaw ubos sa inert Ar gas (≥99.999% kaputli) sa 500–520°C gamit ang high-frequency induction heating.
Proteksyon sa pagkatunaw: Taas nga kaputli nga graphite nga taklob aron mapugngan ang pag-alisngaw; ang giladmon sa tinunaw nga pool gimentinar sa 80–120 mm.
Pagkontrol sa Kristalisasyon
Gikusgon sa pagtubo: 1–3 mm/h nga adunay bertikal nga gradient sa temperatura nga 30–50°C/cm.
Sistema sa pagpabugnaw: Base nga tumbaga nga gipabugnaw sa tubig para sa pinugos nga pagpabugnaw sa ilawom; radiative cooling sa ibabaw.
Paglainlain sa mga hugaw: Ang Fe, Ni, ug uban pang mga hugaw gipadato sa mga utlanan sa lugas human sa 3-5 ka siklo sa pagtunaw pag-usab, nga nagpakunhod sa konsentrasyon ngadto sa lebel sa ppb.
3. Mga Sukod sa Pagkontrol sa Kalidad
Parametro nga Standard nga Reperensya sa Bili
Katapusang kaputli ≥99.99999% (7N)
Kinatibuk-ang mga hugaw sa metal ≤0.1 ppm
Sulod sa oksiheno ≤5 ppm
Pagtipas sa oryentasyon sa kristal ≤2°
Resistivity (300 K) 0.1–0.3 Ω·cm
Mga Benepisyo sa Proseso
Kaarang sa Pag-eskala: Ang mga multi-layer annular zone melting boat nagdugang sa kapasidad sa batch og 3–5× kon itandi sa naandan nga mga disenyo.
Episyente: Ang tukmang pagkontrol sa vacuum ug thermal nagtugot sa taas nga rate sa pagtangtang sa hugaw.
Kalidad sa kristal: Ang hinay kaayo nga pagtubo (<3 mm/h) nagsiguro sa ubos nga densidad sa dislokasyon ug integridad sa usa ka kristal.
Kining pino nga 7N tellurium importante kaayo para sa mga abansado nga aplikasyon, lakip na ang mga infrared detector, CdTe thin-film solar cells, ug semiconductor substrates.
Mga Reperensya:
nagpasabot sa eksperimental nga datos gikan sa mga pagtuon nga gisusi sa mga kaedad sa pagputli sa tellurium.
Oras sa pag-post: Mar-24-2025